技术编号:6981177
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在半导体生产过程中对硅晶片或硅片的N及P型掺杂、扩散及氧化。背景技术 在生产电子器件中的集成电路的过程中,生产半导体的技术主要基于硅材料的原子的本征性能的改变。通过在硅晶格中加入具有多余电子的元素使在其中产生所谓n型过程以及通过加入元素使晶格中缺少电子产生空穴的所谓p型过程称为N型及P型掺杂。为了使硅成为半导体,必须在硅中加入所谓的掺杂元素。已知的掺杂元素例如是磷、砷、锑、硼、镓或铝。在用磷或硼掺杂的过程中,人们将硅晶片放入炉子之中并使炉温达到8...
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