技术编号:6981185
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总的说与半导体晶片的等离子体处理有关,更具体说是与用于等离子体灰化系统的低能离子产生和输运有关。背景技术 在集成电路制造中,光刻技术用来在衬底上形成集成电路图形。一般是在半导体衬底上涂覆一种光刻胶材料,它的一部分被穿过掩模的紫外(UV)辐射曝光而将所需的电路图形成象于光刻胶上。未被UV辐射曝光的那些光刻胶则被一种处理溶液除掉,只把已曝光部分留在衬底上。在某些情下,在光稳定处理过程中用UV光对留下的曝光部分进行烘烤,以使光刻胶经得住后续处理。在经过这种...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。