技术编号：6981348
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及的是一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，具体地来说 涉及一种自对准内嵌肖特基结的功率MOSFET器件。背景技术功率MOSFET具有低正向电压降、高转换速度、容易栅控制等特点，在低中压电力 电子应用中成为一种重要的半导体器件。功率MOSFET在高功率半导体器件中例如电导调 制双极晶体管是基本的构成模块。在一些基于MOSFET的电路中，包括开关电源、可调速驱 动器等，在器件的运行周期的内过量的电流会流经功率MOSFET的寄生PN结二...
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