技术编号:6982410
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总地来说涉及非易失性快速存储系统,并且,具体来说,涉及各自包含两个浮动栅极和由此形成的结构的存储单元的存储阵列的形成方法。背景技术今天有很多商业上成功的非易失性存储产品被使用,特别是以小型卡形式的存储产品,该小型卡存储产品使用一个在源和漏极扩散区之间具有一个“分裂沟道”的快速EEPROM(电可擦可编程只读存储器)单元阵列。该单元的浮动栅极定位在该沟道的一部分上并且该字线(也作为一个控制极谈到)既定位在其它的沟道部分上也定位在浮动栅极上。这样有效地形成...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。