技术编号：6983020
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。实用新型是对具有ESD保护功率MOSFET和IGBT改进，特别涉及一种栅极与源极间漏电小，ESD泄放能力强，芯片利用率高，制造简单，成本低的ESD保护的功率MOSFET和IGBT。背景技术随着功率半导体器件的发展，人们对功率MOSFET和IGBT性能有更高的要求，例如在器件封装、运输、装配及使用过程中常常容易出现静电(ESD)现象，它会在它们的栅极产生一个高电场，使得栅介质在高电场下发生绝缘击穿，从而使器件失效，其中ESD (静电)保护功能就是一项重要指标...
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