技术编号:6983337
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景本发明通常涉及使用相变材料的存储器。相变材料可以呈现至少两种不同状态。这些状态可以称为非晶态和晶态。例如,可以通过温度变化来选择启动在这些状态之间的转换。这些状态可以被区别,是因为非晶态通常显示出比晶态更高的电阻率。非晶态包括更无序的原子结构,晶态包括更有序的原子结构。通常,可以使用任何相变材料;然而,在一些实施例中,薄膜硫族化物合金材料特别适合。可以可逆地引起相变。因此,存储器可以从非晶态变化到晶态并且随后可以回复到非晶态,反之亦然。实际上,每一个存...
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