技术编号:6984269
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法的领域,更具体地说,涉及一种具有量子阱和与量子阱隔开的量子点层的半导体器件及其制造方法。背景技术 1977年已有量子阱(QW)激光器的介绍,该激光器的有源区利用一或多层薄的量子阱层(Lz小于400)夹在较厚的波导区之间,该波段区进一步由更高间隙的p型和n型限制层包围(参见E.A.Rezek,N.Holonyak,Jr.,B.A.Vojak,G.E.Stillman,J.A.Rossi,D.L.Keune,和J.D.Fa...
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