技术编号:6984713
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种新型器件转移技术,更确切地说,本发明提出采用多孔硅分离技术将硅衬底上制作的电子器件转移到特定衬底上的方法,即DTSPS(Device Transferred by Splitting of Porous Silicon),属于微电子领域。在制作功率器件以及射频电路时,散热以及衬底的损耗是必须考虑的问题。由于器件制作仅仅集中在靠近表面的有源层,而且对器件的工作产生影响的也仅仅是这一有源层,若能够将这部分器件从硅衬底上分离出来,贴装或键合在特定衬...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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