技术编号：6986192
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及对应微细工艺的半导体装置的结构，特别涉及布线和布线下的连接孔 (通孔)的结构。背景技术以往，周知一种双镶嵌(Dual Damascene)方法，其在绝缘膜形成布线槽，在该布线 槽底部形成通孔之后，在布线槽以及通孔中嵌入导电性材料，同时形成布线和触点部。在该 双镶嵌方法中周知所谓的先沟槽(Trench First)方式，该先沟槽方式是先在形成了布线图 案的硬掩膜上通过光刻技术形成通孔图案，之后通过蚀刻形成通孔和布线槽(例如，参照 专利文献1)。利用...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。