技术编号:6986786
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于在谐振器端面上形成由单结晶AlXGa1-XN(0≤X≤1)构成的端面膜的。背景技术 以前被广泛使用的应用GaAs类的半导体的半导体激光元件,通过在其谐振器端面上形成保护膜的窗型结构,可使激光元件长寿命化。即使是氮化物半导体激光元件,因为氮化物半导体通过RIE(反应性离子蚀刻)和开裂形成的谐振器端面上的禁带宽度(hand gap)能量小,所以在端面上产生射出光的吸收,由该吸收在端面上产生热,要实现100mW以上的高输出激光的话就会有寿命特性的问题...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。