技术编号：6987159
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及由氮化物系III-V族化合物半导体构成的从蓝紫光到紫外光的短波长区域的和半导体发光元件。背景技术 近年来，作为下一代高密度光盘用光源，对发出蓝紫光的光的激光二极管的期望很大，特别是，对可在从蓝紫光达到紫外光的短波长区域中工作的氮化镓(GaN)系的III-V族化合物半导体发光元件的研究开发非常盛行。而且，这种光盘装置被期待作为记录器用于高密度和高速记录的光盘装置，所以需要光输出大并且可靠性高的GaN系半导体激光器。就其可靠性来说，最近，为了使GaN...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。