技术编号：6987161
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引证本发明要求2001年10月31日申请的美国临时申请序列号60/330788的优先权，它的全部内容在此通过参考引入。背景技术发明领域本发明涉及蚀刻化学，和更特别地，涉及利用改进的蚀刻化学，蚀刻高长径比零件(feature)的方法。 背景技术 的讨论 在半导体工业中，一般需要增加增加集成电路，和尤其记忆器件的速度。这些需要迫使半导体制造者在半导体晶片表面上制造越来越小的器件。因此，制造半导体芯片所使用的愈加小的最高临界尺寸(CDs)要求深的...
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