技术编号:6987179
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种防止半导体集成电路被破坏的静电保护装置,该半导体集成电路破坏是由从半导体集成电路的外部向半导体集成电路的内部的静电放电现象及噪声输入现象、或从带电的半导体集成电路向半导体集成电路的外部的静电放电现象导致的。背景技术在半导体集成电路中,为了对于施加在输入输出端子上的静电放电(ESD)或过电压(EOQ使得半导体集成电路内部不超过破坏电压(Vdes)而使用静电保护装置。作为静电保护装置而主要使用的装置,有二极管、晶闸管、MOS晶体管、双极晶体管寸。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。