技术编号：6987607
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体基板、半导体基板的制造方法、半导体基板的判定方法以及电子器件。背景技术特开平7-14850号公报公开了一种异质结场效应晶体管，其结构为以不掺杂GaAs 层和不掺杂InGaAs层为活性层，以一部分中添加了 Si的AWaAs层夹持活性层。特开平 10-56168号公报公开了一种场效应晶体管，该场效应晶体管的下部载流子供给层与沟道层的界面附近的电子亲和力的差大于沟道层与上部载流子供给层的界面附近的电子亲和力的差。特开平 11-354776号公报公...
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