技术编号:6987665
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。所揭示的实施例涉及形成相变随机存取存储器(PRAM)单元的方法及相变随机存取存储器(PRAM)单元的实施例。更明确地说,所揭示的实施例涉及形成相变随机存取存储器(PRAM)的菱形式四电阻器单元的方法及相变随机存取存储器(PRAM)的菱形式四电阻器单元的实施例。背景技术相变存储器(PCM)是具有非易失性特征及位存取能力的新兴存储器。相变存储器 (PCM)有益地提供快速读取/写入速度,持久耐用,良好地保留数据,且可按比例调整。PCM 可提供随机位存取能力。因此...
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