技术编号：6987733
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及增强型氮化镓(GaN)晶体管的领域。尤其，本发明涉及一种具有扩散阻挡的增强型GaN晶体管。背景技术对于功率半导体器件，氮化镓(GaN)半导体器件的需求日益增加，这是由于它们能够承载大电流和支持高电压的能力。这些器件的发展通常旨在进行高功率/高频应用。 为这些类型应用而制造的器件基于展示高电子迁移率的通用器件结构，并且这些器件被称为异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)或者调制掺杂场效应晶体管 (MODFET)等各种名称。这...
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