技术编号：6987814
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种退火晶片，其自晶片表面至一定深度为止形成有一种无缺陷区域 (Denuted Zone,以下称为DZ层)，所述DZ层没有存在原生氧析出物、原生缺陷及反应性离子蚀刻缺陷(RIE缺陷，即可由RIE法检测的缺陷)。本发明尤其涉及一种退火晶片、该退火晶片的制造方法及使用此退火晶片来进行的器件的制造方法，所述退火晶片的氧化膜耐电压特性优异，于器件步骤中，可防止形成在使用干式蚀刻装置进行沟加工步骤中所产生的小丘，并且于晶片表层，由表面的向外扩散所引起的氧浓...
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