技术编号：6987905
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过使用等离子体蚀刻由掩模定义的电介质层获得半导体晶片上的结构的方法。背景技术等离子体蚀刻工艺通常用于制造半导体器件。一般来说，光致抗蚀剂材料在要蚀刻的晶片表面上形成特征图案，然后通过使晶片曝露于特定类型的蚀刻气体从而将特征蚀刻到晶片中。等离子体蚀刻所面临的挑战之一是为满足设计要求而需要的不断增加的深宽比，特别是对超高密度结构。当在半导体晶片上蚀刻特征时，蚀刻特征的深宽比被定义为特征的深度(d)和特征的宽度(W)或直径之比。随着越来越多的特征被封...
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