技术编号:6988034
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本文公开的本发明涉及一种在衬底上沉积薄膜的方法,更具体而言,涉及一种通过化学气相沉积(CVD)来沉积薄膜的方法。背景技术半导体制造方法通常包括在晶片表面上沉积薄膜的沉积方法,并且将多种类型的薄膜包括二氧化硅、多晶硅和氮化硅等沉积在晶片表面上。在多种沉积方法中,化学气相沉积(CVD)方法通过气体化合物的热分解或反应来在衬底表面上形成薄膜,也就是,使所需材料由气态沉积在衬底表面上。在所述沉积方法中,用于在晶片表面上沉积多晶硅膜的方法如下。首先,将晶片装载至沉积...
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