技术编号：6988044
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。具有基于聚硅氮烷的阻挡层的太阳能电池本发明涉及黄铜矿太阳能电池，包括基材、光伏层状结构和处于二者之间的介电阻挡层。在所述基材和光伏层状结构之间设置的介电阻挡层是电绝缘的，并且使所述光伏层状结构屏蔽于由所述基材扩散出来并损害太阳能电池效率的外来原子。本发明的太阳能电池特别是具有铜-铟-硫化物(CIS)或铜-铟-镓-硒化物(CIGSe)型光伏层状结构的薄膜太阳能电池。此外，本发明涉及黄铜矿基太阳能电池的制备方法。在该方法的范畴内，厚度在100-3000nm范围...
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