技术编号：6988282
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种通过红外线透射来检查太阳能电池用多晶硅片等的多晶片内的缺陷的方法。背景技术专利文献1公开了如下的一种方法，其对硅片照射红外线，由CCD照相机拍摄所透射的红外线，根据此时的拍摄图像，通过图像处理对微小裂纹等缺陷进行检测。另外，专利文献2公开了如下的一种方法，其从多晶片的表面和背面照射红外线， 由红外线照相机拍摄来自表面的红外线反射光以及来自背面的红外线透射光，根据来自表面与背面的图像数据的比较结果来检测多晶片内部的破裂缺陷。然而，在检查对象为多...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。