技术编号:6988316
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化物半导体发光元件。 背景技术专利文献1中,记载有一种紫外线发光元件。紫外线发光元件在波长360nm以下的紫外线区域的短波长区域内于室温进行高效率发光。该紫外线发光元件具有于SiC衬底上含有形成交替结的Ina37Ala Jiia61N层及Inai6Alatl6Giia78N层的量子阱结构。该量子阱结构直接形成于Ala 40Ga0.6(1N层上。现有技术文献专利文献专利文献1 日本专利特开2001-237455号公报发明内容专利文献1中,In...
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