技术编号：6988417
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在半导体元件的面上具有以Bi为主要成分的接合材料构成的接合层的。背景技术使用焊锡材料将半导体元器件安装于基板。例如，作为将IGBTansulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)之类的半导体元器件和基板接合的焊锡材料， 一般采用熔点为220°C的Sn-3重量％ Ag-O. 5重量％ Cu。图4是将半导体元器件安装于基板的示意图。将半导体元器件401安装于基板402 时，采用焊锡浸渍式的浸入装置，例如用熔点为...
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