技术编号：6988585
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术专利文献1，公开了串联异质结光电转换元件的制造方法。在该制造方法中，在Si 基板形成了 V字型沟之后，在该Si基板形成PN结的同时，在该Si基板上使III-V族化合物半导体外延生长。在专利文献1中，公开了以生长温度为500°C以下，且V族元素相对于 III族元素的的入射流量比是15以上的条件，使III-V族化合物半导体外延生长的方法。(专利文献1)特开平5-3332号公报发明内容发明打算解决的课题太阳电池等光电转换器件的光电转换效率，很...
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