技术编号:6988677
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明大致上涉及由第III族金属的氮化物构成的发光半导体结构。更确切地说,本发明涉及例如在竖直几何结构的发光二极管(LED)中使用的反射接触面及其制造方法。背景技术在日常生活的不同领域,像LED的发光半导体器件具有不断增加的作用。它们具有种类繁多的应用,例如在电信、照明和显示技术中。从材料的角度来说,现今的LED技术的一个飞速扩展的分支是基于像氮化镓GaN、 氮化铝镓AlGaN、氮化铟镓及其合金的第III族金属的氮化物。这些材料被发现是用于例如发光应用的高...
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