技术编号:6988783
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氮化镓系化合物半导体发光二极管,特别涉及非极性面发光二极管。背景技术作为V族元素而具有氮(N)的氮化物半导体,由于其带隙大小的缘故而被认为作为短波长发光元件的材料非常具有发展前景。其中,氮化镓系化合物半导体(GaN系半导体)的研究正广泛地进行,蓝色发光二极管(LED)、绿色LED以及以GaN系半导体为材料的半导体激光也已经得到了实际应用(例如,参照专利文献I和2)。氮化镓系半导体具有纤锌矿型晶体结构。图I示意性地表示GaN的单位晶格。在AlaGa...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。