技术编号:6988975
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在真空中高速加热/冷却半导体器件、电子器件、磁性器件、显示器件等的真空加热/冷却装置以及磁阻元件的制造方法。背景技术具有氧化镁隧道阻挡层的用作磁性随机存取存储器(MRAM)的传感器元件或者磁头的隧道磁阻元件形成金属膜(磁性膜和非磁性膜)和绝缘体膜以多层形式被层叠 (laminate)的结构。这种磁阻元件是通过具有良好生产性的溅射法成膜的,然后,在其他装置(磁场中的热处理炉)中在施加1特斯拉(tesla)以上的高磁场的状态下实施热处理 (参见非专利...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。