技术编号：6989308
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术 在半导体电路中，如在DRAM电路中，电容器是通常使用的电子元器件。随着集成电路密度增加，尽管降低了电容器的面积，但充分地保持高存储电容仍存在持续的挑战。典型的电容器包含两个由非导电介电区域分开的导电电极。介电区域优选包含一种或多种具有高介电常数和低漏电特性的材料。材料实例包括硅化合物如SiO2和Si3N4。典型地优选Si3N4，原因在于其比SiO2更高的介电常数。在致力于满足生产用于更高密度的集成电路的越来越小的电容器器件的日益严格的...
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