技术编号:6989624
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于P型SiC半导体的。更具体而言,本发明涉及用于P型SiC半导体的,所述欧姆电极具有表面平滑度得以改善并且其中Ti(z)Si(x)C(y)中的x、y和z(z = 1-x-y)在规定范围内的欧姆电极层,所述欧姆电极层直接层叠在P型SiC半导体上。背景技术SiC单晶具有热和化学非常稳定、机械强度优异并且耐辐射的特征。此外,SiC单晶具有在例如介电击穿电压和热导率方面比硅(Si)单晶高的优异性能。用掺杂剂掺杂SiC 单晶形成P型或η型导电载体,并且载...
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