技术编号:6989686
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体元件。尤其涉及使用于高耐压、大电流用的碳化硅半导体元件 (功率半导体器件)。此外,本发明涉及具备碳化硅半导体元件的半导体装置以及功率变换O背景技术与硅(Si)相比,碳化硅(silicon carbide SiC)是能带隙大的高硬度的半导体材料,应用于功率元件、耐环境元件、高温工作元件、高频元件等各种半导体装置中。其中,向半导体元件、整流元件等的功率元件的应用受到关注。使用了 SiC的功率元件具有与Si功率元件相比能够大幅降低功率损失等的优点...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。