技术编号:6990136
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关一种半导体装置制造的领域,尤指一种金属氧氮氧半导体(MONOS)单元的制造。背景技术 参照第1图,其系显示典型的先前技术金属氧氮氧半导体(MONOS,metal oxide nitride oxide semiconductor)单元。该单元包括一基材10,在该基材10中埋置有源极12及漏极14,而在该基材10的上方则置有氧氮氧(ONO)结构16,该氧氮氧结构16具有夹设于两氧化物层18及20的间的氮化物层17,该氧氮氧结构16的上方置有栅极导体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。