技术编号：6990285
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高性能半导体结构，其包括双层嵌入的外延半导体源极区域和漏极区域。背景技术半导体器件衬底内的机械应力已广泛用以调节器件的性能。例如，在常用硅技术中，当沟道承受压缩应力时空穴迁移率得以增强，而当沟道承受拉伸应力时电子迁移率得以增强。因此，在P沟道场效应晶体管(PFET)的沟道区域和/或η沟道场效应晶体管(nFET) 的沟道区域中可有利地产生压缩应力和/或拉伸应力，以便增强此等器件的性能。一种用于产生所期望的受应力硅沟道区域的可能的方法是在互补金属...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。