技术编号:6990588
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有III-V族化合物半导体纳米线的。背景技术半导体微处理器(semiconductor microprocessor)及高集成电路 (IntegratedCircuit)是将金属-氧化膜-半导体(以下,称为“M0S (Metal Oxide Semiconductor) ”)场效应晶体管(以下,称为"FET (Field Effect Transistor),,) 等元件集成在半导体基板上而制造的。一般而言,互补型M0SFET(以下,称为 ...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。