技术编号:6990694
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体处理。更具体地,本发明涉及检测半导体晶圆(wafer)、表面或基底的等离子体处理期间发生的电弧事件(arc event)的方法及设备。背景技术制造半导体时所涉及的其中两个主要处理是基底上的半导体蚀刻(etching ofthe semiconductor, ETCH)和材料沉积。可通过不同方法实现材料沉积,例如物理气相沉积(physical vapour deposition, PVD)、化学气相沉积(chemical vapour de...
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