技术编号:6990881
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光学器件(光学装置)和相关方法。特别地,本发明提供用于使用非极性或半极性的含镓衬底如GaN、AIN、InN, InGaN, AlGaN和AlInGaN等来发射电磁辐射的方法和器件(装置)。更特别地,本发明提供使用在{20-21}族平面或{20-21}族平面朝向c面和/或朝向a面的斜切(off-cut)上构造的含镓和氮的衬底的方法和器件。还更特别地,本发明提供使用含镓和氮的物质的低压激光器件。仅通过举例说明,本发明可应用于光 学器件、激光器、发光二...
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