长期成膜时的稳定性优异的In-Ga-Zn-O系氧化物烧结体溅射靶的制作方法技术资料下载

技术编号:6991003

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本发明涉及一种用于制作氧化物半导体或透明导电膜等氧化物薄膜、特别是用于制作薄膜晶体管的溅射靶。背景技术包含氧化铟及氧化锌、或者包含氧化铟、氧化锌及氧化镓的非晶态的氧化物膜由于具有可见光透过性,并且从导体、半导体直到绝缘体地具有宽范围的电气学特性,因此作为透明导电膜或(薄膜晶体管等中所用的)半导体膜受到关注。作为所述氧化物膜成膜方法,有溅射、脉冲激光沉积(PLD)、蒸镀等物理的成膜或溶胶凝胶法等化学的成膜,而作为可以在比较低的温度下大面积均勻成膜的方法,以溅...
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