技术编号:6991079
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及以高速操作并具有低损耗和软恢复特性的半导体器件(诸如二极管或绝缘栅双极晶体管(IGBT))、以及用于制造该半导体器件的方法。背景技术功率半导体器件用于具有高效率和低功耗的功率转换器件(诸如转换器和逆变器),并且对于控制旋转电机或伺服电机是必不可少的。功率控制器件要求低损耗、低功耗、高速操作、高效率、以及没有环境问题(即,对外界没有不利影响)的特性。为了满足具有低损耗和高效率的功率控制器件的需求,已提出了具有宽缓冲结构的二极管作为用于功率控制器件的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。