技术编号：6991112
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种双向开关，特别是涉及一种形成在导电性衬底上且由氮化物半导体形成的双向开关。背景技术双向开关，是一种双向地通电、对正负两极性电压都具有耐压性的开关，用作能够高效地转换功率的矩阵交-交转换器的主开关和固态继电器的主开关等。在双向开关中，使以开关时过渡的电压和电流之乘积表示的开关损耗减小、以及使在处于导通状态时由于半导体元件本身的电阻(称其为通态电阻)而产生的导通损耗减小是很重要的。然而，当用以硅(Si)为材料的半导体元件形成双向开关时，由于硅材料...
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