技术编号:6991156
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及ー种化合物半导体器件。背景技术专利文献I公开了具有对电极结构的氮化物半导体器件。该氮化物半导体的η极性表面至少包含不同于(000-1)面的倾斜面且形成有电极。该氮化物半导体的η极性表面具有不平坦。此外,所述不同于(000-1)面的倾斜面位于不平坦的凸块侧面上且与(000-1)面所成的偏角在0.2°以上且90°以下的范围内。专利文献2公开了ー种半导体器件(HFET)。所述HFET具有形成在SiC衬底上的缓冲层上的第一氮化物半导体层;在所述第一氮化物...
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