技术编号：6991173
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体结构的领域，特别是涉及采用导电贯穿基板通路的去耦电容器及其制造方法。背景技术近年来，已经提出了“三维硅”(3D Si)结构，其能够接合安装在封装或系统板上的多个硅芯片和/或晶片。3D Si结构提高了集成在给定空间内的有源电路的密度。随着单元面积的电路密度的增加，每单位面积的开关活动量也增加。这导致参考电源上产生的噪声的增加。由于噪声增加，内部器件的性能以及片外驱动器(off-chipdriver)的性能由于系统设计的可用的噪声容限减小而被不...
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