技术编号：6991270
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。用于检测等离子体处理系统中等离子体约束状态的方法及装置背景技术在制造半导体产品时，通过对各层进行连续沉积、蚀刻和抛光来处理衬底(例如， 半导体晶片)，从而制成半导体器件。在半导体行业内，常规手段是利用RF (射频)驱动等离子体的益处来从衬底干燥蚀刻材料。在等离子体蚀刻处理期间，最重要的是控制等离子体的稳定性和均匀性从而提高处理中的衬底的处理效率和产量。这能够通过各种方法来实现，其中一种方法是通过利用等离子体腔室内的机电元件将等离子体约束到相关的处理区域来控...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。