技术编号:6991609
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种利用激光照射制作半导体器件的方法。背景技术在半导体工艺中,制作半导体器件的常规方法包括一系列处理步骤,例如沉积、微影、蚀刻、离子植入等,以获得半导体器件。这种顺序中的每一个处理步骤由特定处理性能参数来规定,这些参数表示处理性能和/或其限制。例如,离子植入步骤可由(除其他因素之外)植入剂量、植入深度、植入能量、植入的掺杂物浓度、活性掺杂物浓度、缺陷密度及电阻率或薄层电阻来规定。而且,因为所有的处理步骤都受一定程度的处理变化性影响,所提及的参数都...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。