技术编号:6991612
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关开关器件,并且更具体而言涉及形成有碳化物漏极和源极的场效应晶体管(FET)。背景技术基于纳米结构(诸如碳纳米管、石墨烯或有半导体特性的纳米线)的开关器件因该纳米结构可以提供的高载流子迁移率和小尺寸而有潜力。然而,基于这种纳米结构的技术所必须克服的许多挑战之一是与传统硅互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术当前所支 持的高布局密度的兼容性。由于高布局密度,必须精确定位围绕每个纳米结构构建的开关器件的源极/漏极以及栅极接触。在硅CMOS中,通过使用栅...
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