技术编号:6991965
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体处理领域,并且更具体地,涉及。背景技术提高半导体器件、特别是晶体管的性能,始终是半导体工业中的主要考虑。例如,在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的设计和制造期间,共同的目标总是增加沟道区域的电子迁移率并减小寄生电阻以改善器件性能。例如,改善器件性能的其它方法包括通过对源极/漏极区域与沟道区域之间的区域进行掺杂来减小MOSFET的整体电阻,该区域被称为MOSFET的“尖端(tip)”或源极/漏极扩展区域。例如,将掺杂剂注入到源极/...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。