技术编号：6991971
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于处理硅基底的方法以及一种适合于该方法的装置。在此，尤其涉及单晶体的硅晶片的处理，其上侧以及优选底侧为了构造纹理而用蚀刻溶液进行处理。由DE 102007063202 Al公开了从上面持续地用蚀刻溶液喷溅硅基底。在此，作为蚀刻溶液使用HF和HNO3的混合物。通过 蚀刻实现了硅基底的已知的纹理构造。从DE 102008022282 Al中也公开了通过蚀刻来构造硅基底的纹理。在此，在硅基底的表面上形成的气泡通过宽的靠在上面的轧辊轧断并且除去，从...
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