技术编号：6991996
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及ー种III族氮化物半导体激光器元件、制作III族氮化物半导体激光器元件的方法及外延基板。背景技术专利文献I中记载有一种激光器装置。若将自{0001}面向与[1-100]方向等价的方向以28. I度倾斜的面作为基板的主面，则2次解理面成为与主面及光谐振器面这两者垂直的{11-20}面，激光器装置成为长方体状。专利文献2中记载有ー种氮化物半导体装置。对用于解理的基板的背面进行研磨，使总层厚薄膜化为100 左右。将电介质多层膜堆积在解理面上。·专利文献...
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