技术编号:6992016
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及到无机衬底的化学腐蚀,更确切地说是涉及到InGaAsP的四元界面层的化学腐蚀。背景技术 异质结双极晶体管(HBT)是性能非常高的晶体管,与常规双极晶体管不同,它用一种以上的半导体材料(因而称为“异质结”)构成。这些晶体管被构成为利用用来形成器件发射极、基极、以及收集极部分的半导体材料的不同带隙的优势。这种半导体材料包括n-AlGaAs/p-GaAs/n-GaAs或与Si组合的SiGe。可以用诸如分子束外延(MBE)或金属有机化学气相淀积(MO...
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