技术编号:6992123
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及第III族氮化物外延层压基板,特别涉及具有良好结晶品质与较少基板翘曲的第III族氮化物外延层压基板。背景技术近来,通常,由Al、Ga、In等和N的化合物制成的第III族氮化物半导体广泛地用于发光元件和电子器件用元件等。此类器件的特性极大地依赖于第III族氮化物半导体的结晶性;因此,需要生长高度结晶的第III族氮化物半导体的技术。第III族氮化物半导体通常通过在蓝宝石基板上外延生长而形成。然而,蓝宝石基板由于低导热系数而具有不良的散热,这不适于制造...
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