技术编号:6992136
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶生长装置的绝热装置和包括所述绝热装置的单晶生长装置。背景技术通过以锭形式生长单晶硅,制造用于制作半导体的晶片。用于生长单晶硅锭(IG)的典型制造方法包括在将单晶晶种浸入熔融的硅中然后缓慢将其提拉后以使晶体生长的提拉(CZ)法。根据现有技木,热绝热体被设计成在单晶生长过程中阻止加热器产生的热量辐射 到外面。通过该设计,加热器的外部由具有低导热性的热绝热体构成以避免热损失,并且如果可能的话,所述热绝热体的厚度较厚。此外,尽管根据现有技术的单晶生长...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。