技术编号:6992270
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种贴合晶片来制造绝缘层上覆娃(Silicon On Insulator, SOI)晶片等的方法,尤其涉及一种当制造SOI层膜厚为50 μ m以上的厚膜SOI晶片时,抑制贴合后的结合晶片的外周部的豁口的SOI晶片的制造方法。背景技术作为高性能装置用的晶片,是使用一种将结合晶片(band wafer)与基体晶片(base wafer)贴合后的SOI晶片。可以例如如下所述地制造。即,准备两片经过镜面研磨的硅晶片(结合晶片和基体晶片),在至少一晶片上形...
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